Die groeiteorie van laserkristal

Aan die begin van die twintigste eeu is die beginsels van moderne wetenskap en tegnologie voortdurend gebruik om die kristalgroeiproses te beheer, en kristalgroei het van kuns na wetenskap begin ontwikkel. Veral sedert die 1950's het die ontwikkeling van halfgeleiermateriale wat deur enkelkristalsilikon voorgestel word, die ontwikkeling van kristalgroeiteorie en -tegnologie bevorder. In onlangse jare het die ontwikkeling van 'n verskeidenheid saamgestelde halfgeleiers en ander elektroniese materiale, opto-elektroniese materiale, nie-lineêre optiese materiale, supergeleidende materiale, ferro-elektriese materiale en metaal-enkelkristalmateriale tot 'n reeks teoretiese probleme gelei. En meer en meer komplekse vereistes word vir kristalgroeitegnologie gestel. Die navorsing oor die beginsel en tegnologie van kristalgroei het al hoe belangriker geword en 'n belangrike tak van moderne wetenskap en tegnologie geword.
Tans het kristalgroei geleidelik 'n reeks wetenskaplike teorieë gevorm, wat gebruik word om die kristalgroeiproses te beheer. Hierdie teoretiese stelsel is egter nog nie perfek nie, en daar is nog baie inhoud wat van ervaring afhang. Daarom word kunsmatige kristalgroei oor die algemeen beskou as 'n kombinasie van vakmanskap en wetenskap.
Die voorbereiding van volledige kristalle vereis die volgende voorwaardes:
1. Die temperatuur van die reaksiestelsel moet eenvormig beheer word. Om plaaslike oorverkoeling of oorverhitting te voorkom, sal dit die kernvorming en groei van kristalle beïnvloed.
2. Die kristallisasieproses moet so stadig as moontlik wees om spontane kernvorming te voorkom. Want sodra spontane kernvorming plaasvind, sal baie fyn deeltjies gevorm word en kristalgroei belemmer.
3. Pas die afkoeltempo by die kristalkernvorming en groeitempo. Die kristalle word eenvormig gegroei, daar is geen konsentrasiegradiënt in die kristalle nie, en die samestelling wyk nie van chemiese eweredigheid af nie.
Kristalgroeimetodes kan in vier kategorieë geklassifiseer word volgens die tipe moederfase, naamlik smeltgroei, oplossinggroei, dampfasegroei en vastefasegroei. Hierdie vier tipes kristalgroeimetodes het ontwikkel in dosyne kristalgroeitegnieke met veranderinge in beheertoestande.
Oor die algemeen, as die hele proses van kristalgroei ontbind word, moet dit ten minste die volgende basiese prosesse insluit: oplos van opgeloste stof, vorming van kristalgroei-eenheid, vervoer van kristalgroei-eenheid in groeimedium, kristalgroei Die beweging en kombinasie van die element op die kristaloppervlak en die oorgang van die kristalgroei-koppelvlak, om die kristalgroei te realiseer.