fot_bg01

Produkte

LN–Q-geskakelde kristal

Kort beskrywing:

LiNbO3 word wyd gebruik as elektro-optiese modulators en Q-skakelaars vir Nd:YAG, Nd:YLF en Ti:Sapphire lasers sowel as modulators vir optiesevesel. Die volgende tabel lys die spesifikasies van 'n tipiese LiNbO3-kristal wat as Q-skakelaar met transversale EO-modulasie gebruik word.


Produkbesonderhede

Produk Tags

Produkbeskrywing

Die lig versprei in z-as en elektriese veld is van toepassing op x-as. Die elektro-optiese koëffisiënte van LiNbO3 is: r33 = 32 pm/V, r31 = 10 pm/V, r22 = 6.8 pm/V by lae frekwensie en r33 = 31 pm/V, r31= 8.6 pm/V, r22 = 34. pm/V by hoë elektriese frekwensie. Die halfgolfspanning: Vπ=λd/(2no3r22L), rc=(ne/no)3r33-r13.LiNbO3 is ook 'n goeie akoesto-optiese kristal en word gebruik vir oppervlak akoestiese golf (SAW) wafer en AO modulators. CASTECH verskaf akoestiese (SAW) graad LiNbO3 kristalle in wafers, as-cut boules, afgewerkte komponente en pasgemaakte vervaardigde elemente.

Basiese Eienskappe

Kristalstruktuur Enkelkristal, sinteties
Digtheid 4,64 g/cm3
Smeltpunt 1253ºC
Transmissiereeks (50% van totale transmissie) 0,32-5,2um (dikte 6 mm)
Molekulêre gewig 147,8456
Young se modulus 170GPa
Skuifmodulus 68GPa
Grootmaat Modulus 112GPa
Diëlektriese konstante 82@298K
Spleetvliegtuie Geen splitsing nie
Gifverhouding 0,25

Tipiese SAW Eiendomme

Tipe sny SAW VelocityVs (m/s) Elektromeganiese koppelingsfaktor2s (%) Temperatuurkoëffisiënt van snelheid TCV (10-6/oC) Temperatuurkoëffisiënt van vertraging TCD (10-6/oC)
127.86o YX 3970 5.5 -60 78
YX 3485 4.3 -85 95
Tipiese spesifikasies
Tipe Spesifikasies Boule Wafer
Deursnee Φ3" Φ4" Φ3" Φ4"
Lengte-dikte (mm) ≤100 ≤50 0,35-0,5
Oriëntering 127.86°Y, 64°Y, 135°Y, X, Y, Z en ander snit
Verw. Plat oriëntasie X, Y
Verw. Plat Lengte 22±2 mm 32±2 mm 22±2 mm 32±2 mm
Voorkant poleer     Spieël gepoleer 5-15 Å
Agterkant Lapping     0,3-1,0 mm
Vlakheid (mm)     ≤ 15
Boog (mm)     ≤ 25

Tegniese parameters

Grootte 9 X 9 X 25 mm3 of 4 X 4 X 15 mm3
  Ander groottes is op aanvraag beskikbaar
Verdraagsaamheid van grootte Z-as: ± 0,2 mm
  X-as en Y-as:±0,1 mm
Chamfer minder as 0,5 mm by 45°
Akkuraatheid van oriëntasie Z-as: <± 5'
  X-as en Y-as: < ± 10'
Parallelisme < 20"
Voltooi 10/5 krap/grawe
Platheid λ/8 by 633 nm
AR-bedekking R < 0,2% @ 1064 nm
Elektrodes Goud/verchroomd op X-gesigte
Golffrontvervorming <λ/4 @ 633 nm
Uitsterwing verhouding > 400:1 @ 633 nm, φ6 mm bundel

  • Vorige:
  • Volgende:

  • Skryf jou boodskap hier en stuur dit vir ons