LN–Q-geskakelde kristal

Kort beskrywing:

LiNbO3 word wyd gebruik as elektro-optiese modulators en Q-skakelaars vir Nd:YAG, Nd:YLF en Ti:Sapphire lasers sowel as modulators vir optiesevesel.Die volgende tabel lys die spesifikasies van 'n tipiese LiNbO3-kristal wat as Q-skakelaar met transversale EO-modulasie gebruik word.

Doen nou navraag Stuur e-pos aan ons

Produkbesonderhede

Produk Tags

Produk Beskrywing

Die lig versprei in z-as en elektriese veld is van toepassing op x-as.Die elektro-optiese koëffisiënte van LiNbO3 is: r33 = 32 pm/V, r31 = 10 pm/V, r22 = 6.8 pm/V by lae frekwensie en r33 = 31 pm/V, r31= 8.6 pm/V, r22 = 34. pm/V by hoë elektriese frekwensie.Die halfgolfspanning: Vπ=λd/(2no3r22L), rc=(ne/no)3r33-r13.LiNbO3 is ook 'n goeie akoesto-optiese kristal en word gebruik vir oppervlak akoestiese golf (SAW) wafer en AO modulators.CASTECH verskaf akoestiese (SAW) graad LiNbO3 kristalle in wafers, as-cut boules, afgewerkte komponente en pasgemaakte vervaardigde elemente.

Basiese Eienskappe

Kristalstruktuur	Enkelkristal, sinteties
Digtheid	4,64 g/cm3
Smeltpunt	1253ºC
Transmissiereeks (50% van totale transmissie)	0,32-5,2um (dikte 6 mm)
Molekulêre gewig	147,8456
Young se modulus	170GPa
Skuifmodulus	68GPa
Grootmaat Modulus	112GPa
Diëlektriese konstante	82@298K
Spleetvliegtuie	Geen splitsing nie
Gifverhouding	0,25

Tipiese SAW Eiendomme

Tipe sny	SAW VelocityVs (m/s)	Elektromeganiese koppelingsfaktor2s (%)	Temperatuurkoëffisiënt van snelheid TCV (10-6/oC)	Temperatuurkoëffisiënt van vertraging TCD (10-6/oC)
127.86o YX	3970	5.5	-60	78
YX	3485	4.3	-85	95
Tipiese spesifikasies
Tipe Spesifikasies	Boule		Wafer
Deursnee	Φ3"	Φ4"	Φ3"	Φ4"
Lengte-dikte (mm)	≤100	≤50	0,35-0,5
Oriëntasie	127.86°Y, 64°Y, 135°Y, X, Y, Z en ander snit
Verw.Plat oriëntasie	X, Y
Verw.Plat Lengte	22±2 mm	32±2 mm	22±2 mm	32±2 mm
Voorkant poleer			Spieël gepoleer 5-15 Å
Agterkant Lapping			0,3-1,0 mm
Vlakheid (mm)			≤ 15
Boog (mm)			≤ 25

Tegniese parameters

Grootte	9 X 9 X 25 mm3 of 4 X 4 X 15 mm3
	Ander groottes is op aanvraag beskikbaar
Verdraagsaamheid van grootte	Z-as: ± 0,2 mm
	X-as en Y-as:±0,1 mm
Chamfer	minder as 0,5 mm by 45°
Akkuraatheid van oriëntasie	Z-as: <± 5'
	X-as en Y-as: < ± 10'
Parallelisme	< 20"
Voltooi	10/5 krap/grawe
Platheid	λ/8 by 633 nm
AR-bedekking	R < 0,2% @ 1064 nm
Elektrodes	Goud/verchroomd op X-gesigte
Golffrontvervorming	<λ/4 @ 633 nm
Uitsterwing verhouding	> 400:1 @ 633 nm, φ6 mm bundel