Nd:YVO4 – Diode-gepompte vastestoflasers

Kort beskrywing:

Nd:YVO4 is een van die mees doeltreffende lasergasheerkristalle wat tans bestaan vir diodelasergepompte vastestoflasers.Nd:YVO4 is 'n uitstekende kristal vir hoë krag, stabiele en koste-effektiewe diode gepompte vastestoflasers.

Doen nou navraag Stuur e-pos aan ons

Produkbesonderhede

Produk Tags

Produk Beskrywing

Nd:YVO4 kan kragtige en stabiele IR, groen, blou lasers produseer met die ontwerp van Nd:YVO4 en frekwensie verdubbeling kristalle.Vir die toepassings waarin meer kompakte ontwerp en die enkel-longitudinale-modus-uitset nodig is, toon Nd:YVO4 sy besondere voordele bo ander algemeen gebruikte laserkristalle.

Voordele van Nd:YVO4

● Lae lasdrempel en hoë hellingsdoeltreffendheid
● Groot gestimuleerde emissie-dwarssnit by lasende golflengte
● Hoë absorpsie oor 'n wye pompgolflengtebandwydte
● Opties eenassige en groot dubbelbreking straal gepolariseerde laser uit
● Lae afhanklikheid van pompgolflengte en neig na enkelmodus-uitset

Basiese Eienskappe

Atoomdigtheid	~1.37x1020 atome/cm2
Kristalstruktuur	Zircon Tetragonal, ruimtegroep D4h, a=b=7.118, c=6.293
Digtheid	4,22 g/cm2
Mohs Hardheid	Glasagtig, 4,6 ~ 5
Termiese uitsetting Koëffisiënt	αa=4,43x10-6/K, αc=11,37x10-6/K
Smeltpunt	1810 ± 25 ℃
Lasende golflengtes	914 nm, 1064 nm, 1342 nm
Termiese optiese Koëffisiënt	dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K
Gestimuleerde Emissie Dwarssnit	25.0x10-19 cm2, @1064 nm
Fluoresserende Lewensduur	90 ms (ongeveer 50 ms vir 2 atm% Nd gedoop) @ 808 nm
Absorpsiekoëffisiënt	31,4 cm-1 @ 808 nm
Absorpsie Lengte	0,32 mm @ 808 nm
Intrinsieke verlies	Minder 0,1% cm-1, @1064 nm
Verkry bandwydte	0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm
Gepolariseerde laser Emissie	parallel aan optiese as (c-as)
Diode gepomp Opties na opties Doeltreffendheid	> 60%
Sellmeier-vergelyking (vir suiwer YVO4-kristalle)	no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) - 0,0108133λ2
	no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) - 0,0122676λ2

Tegniese parameters

Nd dopant konsentrasie	0,2 ~ 3 atm%
Dopmiddelverdraagsaamheid	binne 10% van konsentrasie
Lengte	0,02 ~ 20 mm
Bedekking spesifikasie	AR @ 1064nm, R< 0,1% & HT @ 808nm, T>95%
	HR @ 1064nm, R>99,8% & HT@ 808nm, T>9%
	HR @ 1064nm, R>99.8%, HR @ 532 nm, R>99% & HT @ 808 nm, T>95%
Oriëntasie	a-gesnyde kristallyne rigting (+/-5 ℃)
Dimensionele toleransie	+/-0.1mm (tipies), Hoë presisie +/-0.005mm kan op aanvraag beskikbaar wees.
Golffrontvervorming	<λ/8 by 633nm
Oppervlakkwaliteit	Beter as 20/10 Scratch/Dig per MIL-O-1380A
Parallelisme	< 10 boogsekondes